Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 Y ZnO

Autores
Rossi Fernández, Ana Cecilia; Schvval, Ana Belén; Jiménez, María Julia; Cabeza, Gabriela Fernanda; Morgade, Cecilia Inés Nora
Año de publicación
2020
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
documento de conferencia
Estado
versión publicada
Descripción
Las nanoestructuras de semiconductores como el TiO2 y el ZnO han demostrado ser capaces de mediar la oxidación fotocatalítica de contaminantes orgánicos para su eliminación del agua. Por eso es interesante la descripción correcta de sus propiedades electrónicas. En el caso de estos óxidos de metales de transición se conoce que la Teoría del Funcional Densidad (DFT)1 suele subestimar el ancho de su banda prohibida (BG). Un enfoque viable para resolver los errores de auto-interacción para materiales de electrones fuertemente correlacionados es el uso de métodos conocidos como DFT + U2. Este método impone un adicional (U) de funcional tipo Coulomb para la representación correcta de los orbitales d de metales de transición como el Ti y el Zn. La determinación de este factor de corrección para un elemento dado requiere varias pruebas y la comparación de la estructura calculada con datos experimentales. Es interesante destacar que el factor U utilizado en los cálculos afecta a los parámetros de red y esta variación se produce en sentido opuesto para dichos óxidos. En TiO2 a medida que el factor U se incrementa aumentan tanto el BG como el parámetro de red. Por el contrario, para el ZnO, al crecer U aumenta el valor del BG pero disminuye el valor del parámetro de celda.
Fil: Rossi Fernández, Ana Cecilia. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Química del Sur; Argentina.
Fil: Schvval, Ana Belén. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.
Fil: Jiménez, María Julia. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.
Fil: Cabeza, Gabriela Fernanda. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.
Fil: Morgade, Cecilia Inés Nora. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Bahía Blanca; Argentina. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.
Materia
Hubbard
DFT
TiO2
ZnO
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
2022-07-14T18:42:46Z
Repositorio
Repositorio Institucional Abierto (UTN)
Institución
Universidad Tecnológica Nacional
OAI Identificador
oai:ria.utn.edu.ar:20.500.12272/6776
Acceder
id RIAUTN_06733c82a478eebb13f8b016aab6db09
oai_identifier_str oai:ria.utn.edu.ar:20.500.12272/6776
network_acronym_str RIAUTN
repository_id_str a
network_name_str Repositorio Institucional Abierto (UTN)
spelling Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 Y ZnORossi Fernández, Ana CeciliaSchvval, Ana BelénJiménez, María JuliaCabeza, Gabriela FernandaMorgade, Cecilia Inés NoraHubbardDFTTiO2ZnOLas nanoestructuras de semiconductores como el TiO2 y el ZnO han demostrado ser capaces de mediar la oxidación fotocatalítica de contaminantes orgánicos para su eliminación del agua. Por eso es interesante la descripción correcta de sus propiedades electrónicas. En el caso de estos óxidos de metales de transición se conoce que la Teoría del Funcional Densidad (DFT)1 suele subestimar el ancho de su banda prohibida (BG). Un enfoque viable para resolver los errores de auto-interacción para materiales de electrones fuertemente correlacionados es el uso de métodos conocidos como DFT + U2. Este método impone un adicional (U) de funcional tipo Coulomb para la representación correcta de los orbitales d de metales de transición como el Ti y el Zn. La determinación de este factor de corrección para un elemento dado requiere varias pruebas y la comparación de la estructura calculada con datos experimentales. Es interesante destacar que el factor U utilizado en los cálculos afecta a los parámetros de red y esta variación se produce en sentido opuesto para dichos óxidos. En TiO2 a medida que el factor U se incrementa aumentan tanto el BG como el parámetro de red. Por el contrario, para el ZnO, al crecer U aumenta el valor del BG pero disminuye el valor del parámetro de celda.Fil: Rossi Fernández, Ana Cecilia. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Química del Sur; Argentina.Fil: Schvval, Ana Belén. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.Fil: Jiménez, María Julia. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.Fil: Cabeza, Gabriela Fernanda. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.Fil: Morgade, Cecilia Inés Nora. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Bahía Blanca; Argentina. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.2022-07-14T18:42:46Z2022-07-14T18:42:46Z2020-05info:eu-repo/semantics/conferenceObjectinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_5794info:ar-repo/semantics/documentoDeConferenciapdfapplication/pdfRossi Fernandez, A. C.; Schvval, A. B.; Jimenez, M. J.; Cabeza, G. F.; Morgade, C. I. N. (mayo, 2020). Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 Y ZnO. [Presentación de resúmen] 20° Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados, Argentina. http://intema.gob.ar/nano2020/http://hdl.handle.net/20.500.12272/6776spaHohenberg H., Kohn W., Phys. Rev. B, Vol. 136 , 864-871, 1964.Anisimovy V., Aryasetiawanz F., Lichtensteinx A. I., J. Phys. Condens. Matter, Vol. 9, 767-808,1997.info:eu-repo/semantics/openAccess2022-07-14T18:42:46Zhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 InternacionalNo comercial con fines académicos y educativos.reponame:Repositorio Institucional Abierto (UTN)instname:Universidad Tecnológica Nacional2026-09-24T12:44:03Zoai:ria.utn.edu.ar:20.500.12272/6776instacron:UTNInstitucionalhttp://ria.utn.edu.ar/Universidad públicaNo correspondehttp://ria.utn.edu.ar/oaigestionria@rec.utn.edu.ar; fsuarez@rec.utn.edu.arArgentinaNo correspondeNo correspondeNo correspondeopendoar:a2026-09-24 12:44:04.721Repositorio Institucional Abierto (UTN) - Universidad Tecnológica Nacionalfalse
dc.title.none.fl_str_mv Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 Y ZnO
title Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 Y ZnO
spellingShingle Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 Y ZnO
Rossi Fernández, Ana Cecilia
Hubbard
DFT
TiO2
ZnO
title_short Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 Y ZnO
title_full Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 Y ZnO
title_fullStr Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 Y ZnO
title_full_unstemmed Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 Y ZnO
title_sort Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 Y ZnO
dc.creator.none.fl_str_mv Rossi Fernández, Ana Cecilia
Schvval, Ana Belén
Jiménez, María Julia
Cabeza, Gabriela Fernanda
Morgade, Cecilia Inés Nora
author Rossi Fernández, Ana Cecilia
author_facet Rossi Fernández, Ana Cecilia
Schvval, Ana Belén
Jiménez, María Julia
Cabeza, Gabriela Fernanda
Morgade, Cecilia Inés Nora
author_role author
author2 Schvval, Ana Belén
Jiménez, María Julia
Cabeza, Gabriela Fernanda
Morgade, Cecilia Inés Nora
author2_role author
author
author
author
dc.subject.none.fl_str_mv Hubbard
DFT
TiO2
ZnO
topic Hubbard
DFT
TiO2
ZnO
dc.description.none.fl_txt_mv Las nanoestructuras de semiconductores como el TiO2 y el ZnO han demostrado ser capaces de mediar la oxidación fotocatalítica de contaminantes orgánicos para su eliminación del agua. Por eso es interesante la descripción correcta de sus propiedades electrónicas. En el caso de estos óxidos de metales de transición se conoce que la Teoría del Funcional Densidad (DFT)1 suele subestimar el ancho de su banda prohibida (BG). Un enfoque viable para resolver los errores de auto-interacción para materiales de electrones fuertemente correlacionados es el uso de métodos conocidos como DFT + U2. Este método impone un adicional (U) de funcional tipo Coulomb para la representación correcta de los orbitales d de metales de transición como el Ti y el Zn. La determinación de este factor de corrección para un elemento dado requiere varias pruebas y la comparación de la estructura calculada con datos experimentales. Es interesante destacar que el factor U utilizado en los cálculos afecta a los parámetros de red y esta variación se produce en sentido opuesto para dichos óxidos. En TiO2 a medida que el factor U se incrementa aumentan tanto el BG como el parámetro de red. Por el contrario, para el ZnO, al crecer U aumenta el valor del BG pero disminuye el valor del parámetro de celda.
Fil: Rossi Fernández, Ana Cecilia. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Química del Sur; Argentina.
Fil: Schvval, Ana Belén. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.
Fil: Jiménez, María Julia. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.
Fil: Cabeza, Gabriela Fernanda. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.
Fil: Morgade, Cecilia Inés Nora. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Bahía Blanca; Argentina. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.
description Las nanoestructuras de semiconductores como el TiO2 y el ZnO han demostrado ser capaces de mediar la oxidación fotocatalítica de contaminantes orgánicos para su eliminación del agua. Por eso es interesante la descripción correcta de sus propiedades electrónicas. En el caso de estos óxidos de metales de transición se conoce que la Teoría del Funcional Densidad (DFT)1 suele subestimar el ancho de su banda prohibida (BG). Un enfoque viable para resolver los errores de auto-interacción para materiales de electrones fuertemente correlacionados es el uso de métodos conocidos como DFT + U2. Este método impone un adicional (U) de funcional tipo Coulomb para la representación correcta de los orbitales d de metales de transición como el Ti y el Zn. La determinación de este factor de corrección para un elemento dado requiere varias pruebas y la comparación de la estructura calculada con datos experimentales. Es interesante destacar que el factor U utilizado en los cálculos afecta a los parámetros de red y esta variación se produce en sentido opuesto para dichos óxidos. En TiO2 a medida que el factor U se incrementa aumentan tanto el BG como el parámetro de red. Por el contrario, para el ZnO, al crecer U aumenta el valor del BG pero disminuye el valor del parámetro de celda.
publishDate 2020
dc.date.none.fl_str_mv 2020-05
2022-07-14T18:42:46Z
2022-07-14T18:42:46Z
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/conferenceObject
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
info:ar-repo/semantics/documentoDeConferencia
format conferenceObject
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv Rossi Fernandez, A. C.; Schvval, A. B.; Jimenez, M. J.; Cabeza, G. F.; Morgade, C. I. N. (mayo, 2020). Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 Y ZnO. [Presentación de resúmen] 20° Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados, Argentina. http://intema.gob.ar/nano2020/
http://hdl.handle.net/20.500.12272/6776
identifier_str_mv Rossi Fernandez, A. C.; Schvval, A. B.; Jimenez, M. J.; Cabeza, G. F.; Morgade, C. I. N. (mayo, 2020). Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 Y ZnO. [Presentación de resúmen] 20° Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados, Argentina. http://intema.gob.ar/nano2020/
url http://hdl.handle.net/20.500.12272/6776
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.relation.none.fl_str_mv Hohenberg H., Kohn W., Phys. Rev. B, Vol. 136 , 864-871, 1964.
Anisimovy V., Aryasetiawanz F., Lichtensteinx A. I., J. Phys. Condens. Matter, Vol. 9, 767-808,1997.
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
2022-07-14T18:42:46Z
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional
No comercial con fines académicos y educativos.
eu_rights_str_mv openAccess
rights_invalid_str_mv 2022-07-14T18:42:46Z
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional
No comercial con fines académicos y educativos.
dc.format.none.fl_str_mv pdf
application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositorio Institucional Abierto (UTN)
instname:Universidad Tecnológica Nacional
reponame_str Repositorio Institucional Abierto (UTN)
collection Repositorio Institucional Abierto (UTN)
instname_str Universidad Tecnológica Nacional
repository.name.fl_str_mv Repositorio Institucional Abierto (UTN) - Universidad Tecnológica Nacional
repository.mail.fl_str_mv gestionria@rec.utn.edu.ar; fsuarez@rec.utn.edu.ar
_version_ 1877230869582708736
score 13.24418

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