Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 y ZnO

Autores
Rossi Fernández, Ana C.; Schvval, Ana Belén; Jiménez, María Julia; Cabeza, Gabriela F.; Morgade, Cecilia Inés Nora
Año de publicación
2021
Idioma
español castellano
Tipo de recurso
documento de conferencia
Estado
versión publicada
Descripción
Las nanoestructuras de semiconductores como el TiO2 y el ZnO han demostrado ser capaces de mediar la oxidación fotocatalítica de contaminantes orgánicos para su eliminación del agua. Por eso es interesante la descripción correcta de sus propiedades electrónicas. La Teoría de la Funcional Densidad (DFT)1) suele subestimar el ancho de banda prohibida (BG) de estos óxidos. Entonces para resolver los errores de autointeracción para materiales de electrones fuertemente correlacionados se utiliza el método conocido como DFT + U2). Este método impone un coeficiente U, de Hubbard, de funcional tipo Coulomb para la representación correcta de los orbitales d de metales de transición como el Ti y el Zn. En el presente trabajo se pudo comprobar como el factor U utilizado afecta a los parámetros de red y esta variación se produce en sentido opuesto para dichos óxidos.
Fil: Rossi Fernández, Ana C. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.
Fil: Schvval, Ana Belén. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.
Fil: Jiménez, María Julia. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.
Fil: Cabeza, Gabriela. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.
Fil: Morgade, Cecilia Inés Nora. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Bahía Blanca; Argentina. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.
Materia
Hubbard
DFT
TiO2
ZnO
Nivel de accesibilidad
acceso abierto
Condiciones de uso
2022-06-29T22:46:33Z
Repositorio
Repositorio Institucional Abierto (UTN)
Institución
Universidad Tecnológica Nacional
OAI Identificador
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